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Mahesh B. Manandhar and Mohammad A. Matin    
The use of Aluminum Gallium Nitride (AlGaN) as a power switching device material has been a promising topic of research in recent years. Along with Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN), AlGaN is categorized as a Wideband Gap (WBG) material wit... ver más
Revista: Journal of Low Power Electronics and Applications    Formato: Electrónico

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