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Computation

Inicio / Computation / Vol: 4 Núm: 1 Par: March (2016) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

Influence of the Localization of Ge Atoms within the Si(001)(4 × 2) Surface Layer on Semicore One-Electron States

Olha I. Tkachuk

Maria I. Terebinskaya

Victor V. Lobanov and Alexei V. Arbuznikov

Resumen

-

Acceso

PÁGINAS

NÚMERO

Volumen: 4 Número: 1 Parte: March (2016)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL
TECNOLOGÍA

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DOI

https://doi.org/10.3390/computation4010014

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