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AIUB Journal of Science and Engineering

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Inicio / AIUB Journal of Science and Engineering / Vol: 16 Núm: 2 Par: 0 (2017) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

Effect of Oxide Thickness on GaN-based Double Gate MOSFETs

Safayet Ahmed

Md. Tanvir Hasan

Resumen

No disponible

Acceso

PÁGINAS

pp. 83 ? 88

NÚMERO

Volumen: 16 Número: 2 Parte: 0 (2017)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL

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