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Applied Sciences

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Inicio / Applied Sciences / Vol: 9 Par: 11 (2019) / Artículo

ARTÍCULO

TITULO

Atomic Layer Deposition (ALD) of Metal Gates for CMOS

Chao Zhao and Jinjuan Xiang

Resumen

Metal gate of CMOS devices.

Palabras claves

COMS - metal gate - atomic layer deposition - high-? dielectric - threshold voltage - flatband voltage - effective work function - effective oxide thickness

Acceso

PÁGINAS

pp. 0 - 0

NÚMERO

Volumen: 9 Parte: 11 (2019)

MATERIAS

INGENIERÍA Y CONSTRUCCIÓN CIVIL
TECNOLOGÍA

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DOI

https://doi.org/10.3390/app9112388

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